SK하이닉스, 12조원 규모 EUV 장비 도입…선단 공정 속도

ASML로부터 내년까지 EUV 장비 도입
SK하닉, 1c 공정 전환·캐파 확대 총력
청주 M15X·용인 1기 팹에 투입 전망

입력 : 2026-03-24 오후 4:29:06
[뉴스토마토 이명신 기자] SK하이닉스가 12조원 규모의 극자외선(EUV) 노광장비(스캐너)를 도입하며 생산능력(캐파) 확대와 선단 공정 전환에 속도를 냅니다. 인공지능(AI) 산업 성장으로 반도체 초미세 공정의 중요도가 높아지는 만큼, 장비 도입을 통해 경쟁력을 끌어올린다는 계획입니다.
 
SK하이닉스가 지난 16일(현지시각) 미국 새너제이에서 열린 엔비디아 연례 개발자회의 ‘GTC 2026’에서 엔비디아의 ‘베라 루빈’ 가속기 실물과 이에 탑재되는 SK하이닉스의 6세대 고대역폭메모리(HBM4), 소캠2(SOCAMM2)를 선보였다. (사진=SK하이닉스)
 
SK하이닉스는 네덜란드 장비업체 ASML로부터 EUV 스캐너를 도입하기로 결정했다고 24일 공시했습니다. 총 취득 금액은 약 11조9496억원으로, 2024년 말 기준 자산총액의 9.97%에 달합니다. 이번 거래는 2027년 12월까지 약 2년에 걸쳐 진행되며, 장비 도입과 설치·개조 비용이 포함된 금액입니다.
 
이번 투자는 고대역폭메모리(HBM)를 포함한 AI 메모리 수요 증가와 함께 범용 D램 수요 확대에 대응하기 위한 차원으로 풀이됩니다. 서버·모바일 등 전방산업에서 범용 메모리 수요가 꾸준히 증가하는 흐름을 보이고 있어 안정적인 공급 구조를 마련한다는 것입니다.
 
특히 EUV 장비 도입을 통해 10나노급 6세대(1c) 공정 전환을 가속화하고, AI 메모리 제품 포트폴리오를 확대할 계획입니다. 1c 공정은 10나노급 5세대(1b) 공정 대비 회로를 더 정밀하게 구현할 수 있는 기술로, 생산성과 전력 효율을 개선하고 데이터 처리 속도를 끌어올릴 수 있습니다.
 
앞서 SK하이닉스는 1c DDR5 D램과 차세대 저전력D램(LPDDR6) 제품을 잇달아 개발하며 미세공정 경쟁력을 확보한 바 있습니다. SK하이닉스는 차세대 HBM에도 1c 공정을 적용할 것으로 예상됩니다.
 
SK하이닉스는 이번 계약을 통해 최신 EUV 장치인 ‘하이 NA EUV’를 ASML로부터 구입할 것으로 보입니다. 노광 공정은 빛으로 회로 패턴을 굳히는 과정으로, 반도체 제작의 필수 공정입니다. 이때 EUV는 빛 파장이 짧아 기존 대비 더 미세한 회로를 그릴 수 있습니다. 하이 NA EUV는 현존하는 장비 중 가장 미세한 회로 패턴을 그릴 수 있는 장비입니다.
 
현재 EUV 장비는 네덜란드 기업인 ASML이 독점 공급하고 있어 장비 확보가 쉽지 않습니다. 가격도 3000~5000억원에 달할 만큼 고가인 점을 고려하면, SK하이닉스는 20대 내외의 EUV 장비를 도입하는 것으로 추산됩니다.
 
이번 장비 도입은 생산능력 확충에 속도를 높이려는 전략의 일환입니다. SK하이닉스는 청주 M15X 공장(팹)의 생산능력을 조기에 극대화하는 한편 2단계 클린룸을 기존 계획보다 2개월 앞당겨 가동하고 있습니다. 특히 내년 2월 클린룸 가동을 시작할 예정인 용인 1기 팹의 생산 기반도 빠르게 확충한다는 계획입니다.
 
SK하이닉스 관계자는 “EUV 기반 선단 공정 전환을 통해 AI 메모리 경쟁력을 강화하고 범용 메모리 공급도 안정적으로 확대해 나갈 것”이라며 “급증하는 글로벌 메모리 수요에 대응해 시장 리더십을 공고히 하겠다”고 했습니다.
 
이명신 기자 sin@etomato.com
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