[뉴스토마토 이명신 기자] 글로벌 반도체 장비 기업 어플라이드머티어리얼즈(AMAT)가 2나노 이하 첨단 공정의 칩 성능을 높이는 차세대 장비 솔루션을 공개했습니다. 올해 2나노급 게이트올어라운드(GAA) 칩 양산이 본격화되는 가운데, 옹스트롬(0.1나노미터) 단위의 재료과학을 기반으로 고대역폭메모리(HBM) 등 메모리 성능을 높인다는 전략입니다.

 

어플라이드는 12일 서울 강남구 조선팰리스호텔에서 기자간담회를 열고 인공지능(AI) 성능 가속화를 위한 증착, 식각(에칭), 재료 개질 시스템 3종을 소개했습니다. 케빈 모라스 어플라이드 반도체 마케팅 총괄 부사장은 “더 빠르고, 저전력으로 구동되는 아키텍처 구현을 위해 3D 디바이스 같은 입체적 제조가 필요하다”면서도 “이를 제조하기 위한 새로운 기술 접근이 필요하다”고 진단했습니다.

 

어플라이드가 차세대 솔루션 3종을 내놓은 배경입니다. ‘비바 라디칼 처리 시스템’은 GAA 트랜지스터의 전류가 흐르는 나노시트의 표면을 초순수로 처리해 균일한 표면을 형성하는 장비입니다. 마이클 추지크 어플라이드 반도체 기술 총괄 부사장은 “트랜지스터의 하단부까지 균일한 표면 처리가 가능해 저항을 낮추고, 성능을 높일 수 있다”며 “2나노 공정 로직 칩 제조사와 주문자 상표 부착 생산(OEM) 제조사들이 이미 제품을 채택해 성능을 입증했다”고 강조했습니다.

 

플라즈마 식각 장비 ‘심3 제트(Sym3 Z) 매그넘’도 선보였습니다. 이 장비는 이온 방향성과 웨이퍼 인접 플라즈마 제어 간 상충(트레이드오프) 관계를 해결하는 2세대 펄스 전압 기술(PVT2)을 도입해, 매끄럽고 정밀한 표면을 형성할 수 있습니다. 웨이퍼나 반도체에 불필요한 물질을 제거하는 식각 공정의 정밀화는 3D 아키텍처 구현의 핵심 요소라는 평가입니다.

 

‘센트리스 스펙트럴 몰리브덴(Mo) 원자층증착(ALD) 시스템’의 경우, 신소재 ‘몰리브덴’을 적용해 저항을 낮춰 칩 성능과 에너지 효율을 끌어올린 게 특징입니다. 이 시스템은 텅스텐(W)을 적용한 기존 시스템 대비 핵심 콘택트 저항을 최대 15% 감소시켰습니다. 이에 트랜지스터를 연결하는 미세 금속으로 텅스텐보다 몰리브덴이 유리하다고 어플라이드는 설명했습니다. 추지크 부사장은 ALD 시스템에 대해 “14A 로직 노드에 도입을 이미 완료했다”고 강조하며 다른 두 제품에 대해서도 “고객들로부터 높은 관심과 기대를 받고 있다”고 덧붙였습니다.

 

 

한편 이날 간담회에서는 어플라이드가 구축 중인 연구개발(R&D) 센터 현황도 공유됐습니다. 박광선 어플라이드코리아 대표는 “올해 하반기 미국 실리콘밸리에 에픽(EPIC) R&D 센터가 오픈한다”면서 “에픽 센터에 삼성이 처음으로 펀딩 멤버로 참여했다”고 밝혔습니다. 에픽 센터는 어플라이드가 50억달러(약 7조원)를 들여 실리콘밸리에 짓는 반도체 공동연구개발 시설입니다.

 

박 대표는 한국 사업 계획에 대해 “내년 하반기 공식 오픈하는 연구개발 시설 ‘코리아 컬래버레이션 센터’도 차질 없이 추진할 것”이라며 “폭발적으로 늘어나는 수요에 대응하기 위해 대학과도 협력해 파이프라인을 구축할 것”이라고 했습니다.

 

이명신 기자 sin@etomato.com